Publicaiton/Presentation 2022

Yoshiaki Hattori, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Masatoshi Kitamura
Enhancement of the contrast for a hexagonal boron nitride monolayer placed on a silicon nitride/silicon substrate
Applied Physics Express 15 (8) 086502 pp.1-5 (2022), published JULY 2022; doi.org/10.35848/1882-0786/ac8270
[abstract] Citations (downloads): 3/3 (1238)

Satoshi Inoue, Yoshiaki Hattori, Masatoshi Kitamura
Organic monolayers modified by vacuum ultraviolet irradiation for solution-processed organic thin-film transistors
Japanese Journal of Applied Physics 61 (SE) SE1012 pp.1-7 (2022), published APRIL 2022; doi.org/10.35848/1347-4065/ac4b92
[abstract] Citations (downloads): 1/1 (591)

服部 吉晃
六方晶窒化ホウ素の高電界下における気伝導と絶縁破壊（依頼講演）
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月20日-9月23日, 20p-A200-3.
[abstract]

井上 聡, 服部 吉晃, 北村 雅季
塗布型有機薄膜トランジスタのためのUV/オゾン処理有機単分子膜の改質
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月20日-9月23日, 21a-P04-7.
[abstract]

渡邉 悠太, 中野渡 俊喜, 服部 吉晃, 北村 雅季
大気中光電子収量分光法による原子比率の異なるInGaZnO 薄膜の仕事関数評価
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月20日-9月23日, 23a-P06-14.
[abstract]

中野渡 俊喜, 渡邉 悠太, 服部 吉晃, 北村 雅季
In5GaZnO10薄膜トランジスタの特性評価
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月20日-9月23日, 23a-P06-24.
[abstract]

渡邉 悠太, 中野渡 俊喜, 服部 吉晃, 北村 雅季
光電子収量分光法によるInGaZnO 薄膜のバンド構造解析
薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会, 2022年11月17日, 18日, 18p-P22.

中野渡 俊喜, 渡邉 悠太, 服部 吉晃, 北村 雅季
In₅GaZnO₁₀ 薄膜をチャネル層とする電界効果トランジスタの特性評価
薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会, 2022年11月17日, 18日, 18p-P30.

渡邉 悠太，服部 吉晃，北村 雅季
「大気中光電子収量分光法によるInGaZnO薄膜のエネルギーバンド構造解析」
第69応用物理学関係連合講演会, 2022年3月22日-3月26日, 25p-P01-16.
[abstract]

服部 吉晃，谷口 尚，渡邊 賢司，北村 雅季
「金極薄膜を用いた単層h-BNの可視化」
第69応用物理学関係連合講演会, 2022年3月22日-3月26日, 22a-E203-1.
[abstract]