Publicaiton/Presentation 1996

戸田泰則，篠森重樹，荒川太郎，北村雅季，永宗靖，荒川泰彦，大津元一
近接場光学顕微鏡による量子ナノ構造の極微小領域光物性の観測
電子情報通信学会技術研究報告. LQE 96 pp.49-54 (1996)
[abstract]

M. Nishioka, R. Schur, M. Kitamura, H. Watabe, Y. Arakawa
Light emission from vertical-microcavity quantum dot laser structures
Physica B 227 pp.404-406 (1996); doi: 10.1016/0921-4526(96)00454-1
[abstract] Citations (downloads): 6/9

Yasuhiko Arakawa, Masao Nishioka, Hajime Nakayama, Masatoshi Kitamura
Growth and Optical Properties of Self-Assembled Quantum Dots for Semiconductor Lasers with Confined Electrons and Photons
IEICE TRANS. ELECTRON, E79-C pp.1487-1494 (1996).
[abstract] Citations (downloads): 11/18

R. Schur, M. Nishioka, M. Kitamura, H. Watabe, Y. Arakawa
Fabrication and optical properties of self assembled InGaAs quantum dots embedded in microcavities
Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
[abstract] Citations (downloads): -/- (30)

M. Nishioka, F. Sogawa, M. Kitamura, R. Schur, and Y. Arakawa
Lasing Oscillation of Vertical Microcavity Quantum Dot Lasers
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, August 1996, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan

M. Kitamura, M. Nishioka, R. Schur, and Y. Arakawa
Direct Observation of Transition from 2D layer to 3D Islands at the Initial Stage of InGaAs Growth on GaAs by AFM
8th Int. Conf. on MOVPE, 1996, Cardiff International Arena Cardiff, Wales, UK

北村雅季，西岡政雄，和田一実，渡部宏明，加藤祐司，R.シュア，荒川泰彦：
「MOCVD 法による InGaAs 自然形成量子ドットの形成機構とその光学特性」
第43回応用物理学関係連合講演会，1996年3月，埼玉(東洋大学), 27p-W-17, p.1239.

加藤祐司，北村雅季，荒川太郎，田中琢爾，西岡政雄，荒川泰彦：
「 InGaAs 量子ドットの光物性の電界効果」
第43回応用物理学関係連合講演会，1996年3月，埼玉(東洋大学), 27p-W-18, p.1239.

R.シュア，西岡政雄，北村雅季，荒川太郎，荒川泰彦：
「 MOCVD 法による自然形成量子ドットの新しい作製法」
第43回応用物理学関係連合講演会，1996年3月，埼玉(東洋大学), 28a-ZX-6, p.1288.